在8月9日出版的国际权威学术期刊美国《科学》(Science)杂志上，刊发了复旦大学微电子学院张卫团队的科研论文，如何让电脑、手机、数码相机这些电子产品速度更快、功能更强、功耗更小，该课题组实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管，这一新晶体管有望让电子芯片的性能实现突破性提升。同时，这也是我国科学家在《科学》上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果。

　　央视《新闻联播》提出，该项芯片技术取得历史性突破后，技术“转化要脚跟脚”，并强调“谁率先推出新产品，谁就更能占据市场主动……实验室加流水线才有胜算”。

　　半浮栅晶体管还可应用于动态随机存储器(DRAM)，DRAM广泛应用于计算机内存。半浮栅晶体管构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能，成本大幅降低，集成度更高，读写速度更快。半浮栅晶体管还可应用于主动式图像传感器芯片，提升分辨率和灵敏度。

　　目前，DRAM、SRAM等核心专利基本上都是被国外大公司控制。“在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”张卫教授说。半浮栅晶体管作为一种基础电子器件，它在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模达到三百亿美元以上。它的成功研制有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。

　　据张卫教授介绍，作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管可以应用于不同的集成电路。它可以取代一部分的静态随机存储器(SRAM)，SRAM多应用于中央处理器(CPU)内的高速缓存，而传统SRAM集成度较低，占用面积大。半浮栅晶体管构成的SRAM单元面积更小，密度则大约可提高10倍。